GAS SENSORS BASED ON SEMICONDUCTOR POROUS LAYERS

Föll H. Porous and Nanoporous Semiconductors and Emerging Applications / H. Föll, J. Carstensen, S. Frey. // Journal of Nanomaterials. – 2006. – P. 1–10.

Belogorokhov A. I. Structural and optical properties of porous gallium arsenide / A. I. Belogorokhov, S. A. Gavrilov, I. A. Belogorokhov. // Physica Status Solidi (c). – 2005. – P. 3491–3494.

The formation of porous GaAs in HF solutions / G. Oskam, A. Natarajan, P. С. Searson, F. M. Ross. // Applied Surface Science. – 1997. – P. 160–168.

Трегулов В. В. Пористый кремний: технология, свойства, примене- ние / В. В. Трегулов. – Рязань: ряз. гос. ун-т им. С.А.Есенина, 2011. – 124 с.

Дмитрук Н. Л. Фотоэлектрические преобразователи солнечного излучения с текстурированной поверхностью / Н. Л. Дмитрук, И. Б. Мамонтова. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 2000. – С. 67–90.

Porous Silicon-Based Smart Sensors / H. Saha, S. Dey, C. Pramanik at all.] // Encyclopedia of Sensors. – 2006. – P. 163–196.

Sailor J. M Sensor applications of porous silicon, in Properties of Porous Silicon / J. M. Sailor. – London, 1997. – (Institution of Engineering and Technology). – P. 364 – 370.

Porous silicon formation mechanisms / Smith, Collins, L. R, D. S. // J. Appl. Phys. – 1992. – С. R1–R22.

Lehmann. The physics of macropore formation in low doped n-type silicon / Lehmann, V. // J. Electrochem. Soc. – 1993. – P. 2836–2843.

Halimaoui. Porous silicon formation by anodisation. In: Canham / Halimaoui, A – London: The Institution of Electrical Engineers, 1997. – (Properties of Porous Silicon. IEE INSPEC). – P. 12–23.

Application of a thick avoided film to semiconductor devices. Rev. Electron. Commun. Labs / Watanabe, Y, Sakai, T. – 1971. – P. 899–903.

Formation and properties of porous silicon and its applications / [Watanabe, Y, Arita et al.]. // J. Electrochem. – 1975. – P. 1352–1355.

Imai K. A new dielectric isolation method using porous silicon. / K. Imai // Solid-State Electron. – 1981. – P. 159–164.

Takai. Porous silicon layers and its oxide for the silicon-on-insulator structure / Takai, Itoh, H, T. // Appl. Phys. – 1986. – P. 222–225.

Silicidation of porous silicon and its application for the fabrication of a buried metal layer. Appl. Surf. Sci. / Ito, T, Yamama et al.]. – 1989. – P. 41–42, 301–305

FTIR studies of water and ammonia decomposition on silicon surfaces. / Dillon, C. A, Gupta et al.]. // J. Electron. Spectrosc. Relat. Phenom., – 1990. – P. 54–55, 1085–1095.

Canham. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers. Appl. Phys. Lett. / Canham, T. L. – 1991. – P. 57, 1046–1048.

Lehmann V., Gosele U. Porous silicon formation: A quantum wire effect // Appl. Phys. Lett. 1991. – V. 58. - No 8. – Р. 856 – 858.

Optical studies of the structure of porous silicon films formed in p-type degenerate and non-degenerate silicon. / Pickering, C, Beale et al.]. // J. Phys. C: Sol. St. Phys. – 1984. – P. 17, 6535–6552.

Formation mechanism and properties of electrochemically etched trenches in n-type silicon / Lehmann, V, Foll, H. // J. Electrochem. Soc. – 1990. – P. 137, 653–659.

Engineering porous III-Vs, III-Vs REVIEW. Adv. Semicond. Mag. / Foll, H, Langa, et al.]. – 2003. – С. 42–43.

Structural and spectroscopic characterization of porous silicon carbide formed by Pt-assisted electroless chemical etching. / Rittenhouse, L. T, Bohn, et al.]. // Sol. State Commun. – 2003. – P. 126, 245–250.

Electrochemical pore etching in germanium / Fang, C, Foll, et al.]. // J. Electroanal. Chem. – 2006. – P. 589, 259–288.

Electrochemical pore formation onto semiconductor surfaces. C. R. Chimie / Santinacci, L, Djenizian, T. – 2008. – P. 11, 964–983.

Varied morphology of porous GaP(111) formed by anodization. / Shen, C. Y, Leu, et al.]. // J. Alloys Compounds. – 2008. – С. 454, L3–L9.

Possibility of fabricating light-emitting porous silicon from gas phase etchants. Opt. Express / Kalem, S., Yavuzcetin, O. - 2000. - P. 6, 7-11.

Novel technique for preparing porous silicon. / Hummel, E. R, Chang, S. S. // Appl. Phys. Lett., - 1992. - P. 61, 1965-1967.

The structural and luminescence properties of porous silicon / Cullis, G. A, Canham, et al.]. // J. Appl. Phys. - 1997. - P. 82, 909-965.

Kolasinski. Silicon nanostructures from electroless electrochemical etching. Curr. Opin. Solid State Mater. Sci. / Kolasinski, V. K. - 2005. - P. 73-83.

Zhang. Porous silicon: Morphology and formation mechanisms. In: Vayenas / Zhang, X. G. – New York, 2005. – 65 с. – (Modern Aspects of Electrochemistry).

Formation and application of porous silicon. Mater. Sci. Eng. / Foll, H, Christophersen, et al.]. – 2002. – P. 39, 93–141.

Dependence of macropore formation in n-Si on potential, temperature, and doping / Hejjo Al Rifai, M, Christophersen et al.]. // J. Electrochem. Soc. – 2000. – P. 627–635.

Classification of the pore structure of n-type silicon and its microstructure / Osaka, T, Ogasawara, et al.]. // J. Electrochem. Soc. – 1997. – P. 144, 3226–3237.

Electrochemical oxidation of silicon and formation of porous silicon in acetonitrile. / Propst, K. E, Kohl, A. P. // J. Electrochem. Soc. – 1994. – P. 141, 1006–1013.

Self-organized growth of single crystals of nanopores. Appl. Phys. Lett. / Langa, S, Tiginyanu, et al.]. – 2003. – P. 82, 278–280.

Effects of light exposure during anodization on photoluminescence of porous Si. Jpn. J. Appl. Phys. / Asano, T, Higa, et al.]. – 1992. – P. L373–L375.

Оксанич А. П. Удосконалення методу отримання поруватого шару на підкладках n-GaAs / А. П. Оксанич, С. Е. Притчин, М. Г. Когдась, О. Г. Холод, М. А. Мащенко // Вчені записки ТНУ імені В.І. Вернадського. – 2018. – No 6. – С. 228–234.

Удосконалення методу отримання поруватих плівок GaAs з використанням нечіткого контролера / Оксанич А.П., Чебенко В.М., Притчин С.Е., Когдась М.Г., Мащенко М.А // R&I, 2019, No2, C. 4-8

Korotcenkov G Gas response control through structural and chemical modification of metal oxides: state of the art and approaches / G. Korotchenkov // Sens Actuators B Chem. – 2005. – 107. –P. 209–232.

Chun J. Thermal stability of CdSe/ZnS quantum dot-based optical fiber temperature sensor / J. Chun, W. Yang, J.S. Kim // Mol Crystallogr Liq Crystallogr. – 2011. – 538(1). – P. 333–340.

Pancheri L, Oton CJ, Gaburro Z, Soncini G, Pavesi L (2003) Very sensitive porous silicon NO 2 sensor. Sens Actuators B Chem 89:237–239

Massera E, Nasti I, Quercia L, Rea I, Di Francia G (2004) Improvement of stability and recovery time in poroussilicon-based NO 2 sensor. Sens Actuators B Chem 102:195–197

Baratto C, Faglia G, Sberveglieri G, Boarino L, Rossi AM, Amato G (2001) Front-side micromachined porous silicon nitrogen dioxide gas sensor. Thin Solid Films 391:261–264

Lewis SE, De Boer JR, Gole JL, Hesketh PJ (2005) Sensitive, selective, and analytical improvements to a porous silicon gas sensor. Sens Actuators B Chem 110:54–65

Gole JL, Seals LT, Lillehei PT (2000) Patterned metallization of porous silicon from electroless solution for direct electrical contact. J Electrochem Soc 147:3785–3789

Brumhead D, Canham LT, Seekings DM, Tufton PJ (1993) Gravimetric analysis of pore nucleation and propagation in anodized silicon. Electrochim Acta 38:191–197

Herino R, Bomchil G, Barla K, Bertrand C (1987) Porosity and pore size distribution of porous silicon layers. J Electrochem Soc 134:1994–2000

Korotcenkov G, Cho BK (2010a) Porous semiconductors: advanced material for gas sensor applications. Crit Rev Solid State Mater Sci 35(1):1–37

Sensitivity of the optical properties of porous silicon layers to the refractive index of liquid in the pores. / Anderson, A. M, Tinsley-Bown et al.]. // Phys. Stat. Sol. (a). – 2003. – P. 528–533.

Surface and optical analyses of porous silicon membranes. / Feng, C. Z, Wee et al.]. // J. Phys. D. – 1994. – P. 1968–1975.

Canham. Properties of Porous Silicon. INSPEC / Canham, L. // Nanoscale semiconducting silicon as a nutritional food additive. Nanotechnology / Canham, L. – London, 1997. – P. 185704 (1–6).

Sabataityte J., Simkiene I., Bendorius R.A., Grigoras K., Jasutis V., Pacebutas V., Tvardauskas H., Naudzius K. Morphology and strongly enhanced photoluminescence of porous GaAs layers made by anodic etching. Mater. Sci. Eng. 2002. V. 19. Iss. 1–2. P. 155–159.

Optical and Electrical Properties of Porous Gallium Arsenide N. S. Averkiev, L. P. Kazakova, É. A. Lebedev, Yu. V. Rud’, A. N. Smirnov, and N. N. Smirnova Semiconductors, Vol. 34, No. 6, 2000, pp. 732–736

Salehi A., Nikfarjam A., Kalantari D.J. Pd/porous-GaAs Schottky contact for hydrogen sensing application. Sensors Actuators B. 2006. V. 113. P. 419–427.

Porous GaAs as a possible antireflective coating and optical diffusor for III–V solar cells Giovanni Flamand* and JefPoortmansphys. stat. sol. (a) 202, No. 8, 1611–1615 (2005)

Alireza Salehi, Alireza Nikfarjam, and Dara Jamshidi Kalantari Highly Sensitive Humidity Sensor Using Pd/Porous GaAs Schottky Contact IEEE SENSORS JOURNAL, VOL. 6, NO. 6, DECEMBER 2006 1415-1421

Emission properties of carbon nanowalls on porous silicon / Evlashin S.A., Mankelevich Y.A., Borisov V.V. et al. // Journal of vacuum science and technology. − 2012.

Зимин С. П. Классификация электрических свойств пористого кремния / С. П. Зимин. // Физика и техника полупроводников. – 2000. – С. 359–362.

Luminescence spectroscopy of NaF:U bulk and fiber crystals / [B. V. Shulgin, A. N. Tcherepanov, V. Y. Ivanov et al.]. // Journal of Luminescence. – 2007. – С. 259–265.

Разработка автоматизированной системы определения спектров фотолюминисценции в por-Si / А. П. Оксанич, В. Н. Чебенко, М. Г. Когдась, М. Г. Паливода. – С. 17–24.

Electrical characteristics of Au/n-GaAs Schottky barrier diodes with and without SiO2 insulator layer at room temperature / [H. Altuntaş, Ş. Altındal, S. zçelik, H. Shtrikman] // Journal of Applied Physics. – 2009. – P. 1060–1065.

Chen D. Electrical characterization of Cu Schottky contacts to n-type GaAs grown on (311) A/B GaAs substrates / [D. Chen, H. Xiuxun, G. Xin, et al.]. // Journal of Alloys and Compounds. – 2016. – Vol. 84. – P. 325–329.

Heng-Yong N. Pd-on-GaAs Schottky Contact: Its Barrier Height and Response to Hydrogen / N. Heng-Yong, N. Yasuo // Jpn. J. Appl. Phys. – 1991. – Vol. 38. – P. 906–913.

Li S. S. Metal – Semiconductor Contacts / Li. // In: Semiconductor Physical Electronics. – Boston, MA: Springer US. – 1993. – P. 247–286.

Canham L. T. Characterization of microporous Si by flow calorimetry: Comparison with a hydrophobic SiO2 molecular sieve / L. T. Canham, A. J. Groszek. // J. Appl. Phys. – 1992. – P. 1558–1565.

Theis W. Optical properties of porous silicon / Theis. // Surf. Science Rep. – 1997. – Vol.29. – P. 191–192.

The isotope study of the Si-H absorption peaks in the FZ-Si grown in hydrogen atmosphere / G. R.Bai, M. W. Qi, L. M. Xie, T. S. Shi. // Sol. Stat. Comm. – 1985. – No3. – P. 277–281.

Characterization of porous silicon inhomogeneities by high spatial resolution infrared spectroscopy / A.Borghei, A. Sassella, B. Pivac, L. Pavesi. // Sol. St. Comm. – 1993. – Vol.87. – No1. – P. 1–4.

Luminescence and structural study of porous silicon films / [Y. H. Xie, W. L. Wilson, F. M. Ross, et al.]. // J. Appl. Phys. – 1992. –Vol.71. – No5. – P. 2403–2407.

Laser-induced degradation of the photoluminescence intensity of porous silicon / [C. Tsai, K. H. Li, J. C. Campbell, et al.]. // J. Electr. Mate. – 1992. – Vol.21 – No10. – P. 589–591 1992.

Bisi O. Porous silicon: a quantum strong structure for silicon based optoelectronics / O. Bisi, S. Ossicini, L. Pavesi. // Surface Science Report. – 2000. – Vol.38. – P. 1–126.

Salonen J. Thermal oxidation of free-standing porous silicon films / J. Salonen, V. P. Lehto, E. Laine. // Appl Phys. Lett. – 1997.– Vol.70. – P. 637.

The kinetics and mechanism of oxide layer formation from porous silicon formed on p-Si substrates / J. J. Yon, K. Barla, R. Herino, G. Bomchil. // J. Appl. Phys. – 1987.– Vol.62. – No3. – P. 1042–1048.

Current-induced light emission from a porous silicon device / A. Richter, P. Steiner, F. Kozlowsky, W. Lang. // IEEE Electron. Dev. Lett. – 1991. – P. 691–692.

Lehmann V. On the morphology and the electrochemical formation mechanism of mesoporous silicon / V. Lehmann, R. Stengl, A. Luigart. // Materials Science and Engineering: B.- 2000. - V. 69-70. - P. 11-22.

Zhu D. Transport properties in iron-passivated porous silicon / D. Zhu, Q. Chen, Y. Zhang. // Appl. Surf. Sci. 2002. - V. 191. - P. 218-222.

Current transport in free-standing porous silicon / A. Diligenti, A. Nannini, G. Pennelli, F. Pieri. // Appl. Phys. Lett. - 1996. - V. 68. - No5. - P. 687-689.

Лаптев A. H. Гистерезис вольт-амперных характеристик светоизлучающих структур на пористом кремнии / A. H. Лаптев, A. B. Проказников, H. A. Рудь. // Письма в ЖТФ. -1997. - Т. 23. - С. 59-66.

Балагуров Л.А. Пористый кремний: получение, свойства, возможные применения // Материаловедение. -1998. Вып. 1. - С. 50-56; Вып. 3. - С. 23-45.

J. Porous Mater. 7 / [V. Strikha, V. Skryshevsky, V. Polishchuk et al.]. – No111. – С. 2000.

Salehi A. Conf. Optoelectron. Microelectron/ A. Salehi, D.J. Kalantari, A. Goshtasbi. -2006.

J.R. Mac Donald, Impedance Spectroscopy Emphasizing Solid Materials and Systems (New York: Wiley, 1987). - p. 339.

E.E. Barsoukov and J.R. Macdonald, Impedance Spectroscopy: Theory, Experiment and Applications (New York: Wiley, 2005), p. 616.

Y. Zhu and C. Ding, J. Eur. Ceram. Soc. 20, 127 (2000).

S.S. Nalimova, I.E. Kononova, V.A. Moshnikov, D.T. Dimitrov, N.V. Kaneva, L.K. Krasteva, S.A. Syuleyman, A.S. Bojinova, K.I. Papazova, and A.T. Georgieva, Bulg. Chem. Commun. 49, 121 (2017).

G.F. Fine, L.M. Cavanagh, A. Afonja, and R. Binions, Sensors 10, 5469 (2010).

Milovanov Y. Electrical Properties of Metal-Porous GaAs Structure at Water Adsorption / Milovanov, Y., Skryshevsky, V., Gavrilchenko, I., (...), Pritchin, S., Kogdas, M.//Journal of Electronic Materials. - 2019

Oksanich A.P. Effect of porous GaAs layer morphology on Pd/porous GaAs Schottky contact/ Oksanich, A.P., Pritchin, S.E., Kogdas, M.G., Kholod, A.G., Shevchenko, I.V.// Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2019

Milovanov Y.S. Influence of gas adsorption on the impedance of porous GaAs / Milovanov, Y.S., Gavrilchenko, I.V., Kondratenko, S.V., Oksanich A.P., Pritchin, S.E., Kogdas, M.G.//Functional Material. − 2017

Особенности структурных и оптических свойств пористого кремния, полученного в p +-эпитаксиальном слое на n-Si(111) / А.С. Леньшин и др. // Журнал технической физики, − 2013. − Т.83. вып. 3.

Аверкиев, Н.С. Переходный фототок и фотолюминесценция в пористом кремнии [Текст] / Н.С. Аверкиев, Л.П. Казакова, Ю.П. Пирятинский, Н.Н. Смирнова // Физика и техника полупроводников. – 2003. – Т. 37, вып. 10. – C. 1244–1247.

Аверкиев, Н.С. Переходный фототок и фотолюминесценция в пористом кремнии [Текст] / Н.С. Аверкиев, Л.П. Казакова, Ю.П. Пирятинский, Н.Н. Смирнова // Физика и техника полупроводников. – 2003. – Т. 37, вып. 10. – C. 1244–1247.

Горячев, Д.Н. О механизме образования пористого кремния [Текст] / Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, О.М. Сресели // Физика и техника полупроводников. – 2000. – Т. 34, вып. 9. – C. 1130–1134.

Горячев, Д.Н. Формирование толстых слоев пористого кремния при недостаточной концентрации неосновных носителей [Текст] / Д.Н.Горячев, Л.В. Беляков, О.М. Сресели // Физика и техника полупроводников. – 2004. – Т. 38, вып. 6. – C. 739–744.

Корсунская, Н.Е. Два источника возбуждения фотолюминесценции пористого кремния [Текст] / Н.Е. Корсунская, Т.В. Торчинская, Б.Р. Джумаев [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 1997. – Т. 31, вып. 8. – C. 908–911.

Stable aluminium Ohmic contact to surface modified porous silicon. / Kanungo, J, Maji et al.]. // Solid-State Electron. – 2009. – P. 663–668.

Formation of ohmic contact by pre-annealing of shallow nanopores in macroporous silicon and its characterization. / Maji, S, Das, et al.]. // Solid-State Electron. – 2010. – P. 568–574.

Vinod. The fire-through processed screen-printed Ag thick film metal contacts formed on an electrochemically etched porous silicon antireflection coating of silicon solar cells. / Vinod, N. P. // RSC Adv. – 2013. – P. 3618–3622.

Dhar S. Electroless nickel plated contacts on porous silicon. / Dhar, S, Chakrabarti, S. // Appl. Phys. Lett. – 1996. – P. 1392–1393.

Improved contacts on a porous silicon layer by electroless nickel plating and copper thickening. / Kanungo, J, Pramanik et al.]. // Semicond. Sci. Technol. – 2006. – P. 964–970.

Моделювання і дослідження діоду шотткі на основі поруватих напівпровідників / A. П. Оксанич, М. Г. Когдась, В. М. Чебенко та ін. // Вісник КрНУ імені Михайла Остроградського. – 2019. Вип.5. – С. 148–154.

Computer simulation of percolated porous Si structure and its application to electrical conductivity simulation / Yeh E.C., Chiou M.S., Hsu Y.J. // Thin Sol. Films. - 1997.- V.297.- P.88- 91.

Электрические и фотоэлектрические характеристики диодных структур n-Si / пористый кремний / Pd и влияние на них газообразного водо- рода / [С. В. Слободчиков, Д. Н. Горячев, Х. М. Салихов та ін.]. // ФТП. - 1999. - Т.33. - С.340-343.

Electrical behaviour of aluminium - porous silicon junctions / [Deresmes D., Marissael V., Stievenard D. et al.] // Thin Sol. Films. - 1995. - V.255. - P.258-261.

Светочувствительные структуры Шоттки на пористом кремнии / [Беляков Л.В., Горячев Д.Н., Сресели О.М. и др.] // ФТП.- 1993.- Т.27.- С.1371-1374.

Behavior of a rectifying junction at the interface between porous silicon and its substrate/ [Pulsford N.J., Rikken G.L.J.A., Kessener Y.A.R.R., et al.]. // J. Appl. Phys.- 1994.- V.75.- P.636- 638.

Исследование фотоэдс и фотоиндуцированного захвата заряда в пористом кремнии / А. Б. Матвеева, Е. А. Константинова, В. Ю. Тимошенко та ін.]. // ФТП. - 1995.- Т.29.- С.2180-2188.

Фоточувствительность гетерограницы пористый кремний - кремний / [Астрова Е.В., Лебедев А.А., Ременюк А.Д. и др.].// Известия ВУЗов. Материалы электронной техники. - 1998.- Вып.2.- С.67-69.

Pavesi L. Porous silicon n-p light emitting diode / L.Pavesi, R. Guardini, P. Bellutti. // Thin Sol. Films. - 1997.- V.297.- P.272-276.

Photosensitivity of silicon-porous silicon geterostructures / [Astrova E.V., Lebedev A.A., Remenyuk A.D. et al.].// Thin Sol. Films. - 1997. - V.297. - P.129-131.

Norde H. A modified forward I-V plot for Schottky diodes with high series resistance / Norde. // J. Appl. Phys. – 1979. No7. – Р. 5052-5053.

Methods for determination of Schottky barrier height from I-V curves/ Kudryk Ya.Ya., Shynkarenko V.V., Slipokurov V.S., et al.]. // CriMiCo’2014, September 7-13, 2014. – Sevastopol, Crimea. – P.673-674.

Tung R.T. Recent advances in Schottky barrier concepts / Tung.// Mater. Sci. and Eng.: R. – 2001. – 35, No1–3. – P. 138.

Lien C.D. An improved forward I-V method for non-ideal Schottky diodes with high series resistance / Lien C.D., So F.C.T., Nicolet M.A. // IEEE Trans. Electron. Devices. – 1984. – ED-31, No10. – Р. 1502-1503.

Cibils R. M. Forward I-V plot for non-ideal Schottky diodes with high series resistance / R. M. Cibils, R. H. Buitrago. // J. Appl. Phys. – 1985. – 58. – Р. 1075-1077.

Cheung S.K. Extraction of Schottky diode parameters from forward current-voltage characteristics / S.K. Cheung, N.W. Cheung. // Appl. Phys. Lett. – 1986. – 49, No2. – Р. 85-87

Werner J.H. Schottky barrier and p-n-junction I/V plots – small signal evaluation/ Werner. // Appl. Phys. A. – 47, No3. – Р. 291-300

Bennett R.J. Interpretation of forward bias behavior of Schottky barriers/ Bennett. // IEEE Trans. Electron. Devices. – 1987. – ED-34, N4. – Р. 935-937

Кудрик Я.Я. Определение высоты барьера в диодах Шоттки c шунтирующим эффектом/ Кудрик. // Петербургский журнал электроники. – 2005. – No 1. – С. 95-99

Extraction of Schottky diode parameters including parallel conductance using a vertical optimization method / A. Ferhat-Hamida, Z. Ouennoughi, A. Hoffmann, R. Weiss. // Solid-State Electronics. – 2002. – 46. – Р. 615-619.

Direct extraction of semiconductor device parameters using lateral optimization method/ Ortiz-Conde A., Yuansheng M., Thomson J. et al.,]. // Solid- State Electronics. – 1999. – 43. – Р. 845-848

Karaboga N., Kockanat S., Dogan H. The parameter extraction of the thermally annealed Schottky barrier diode using the modified artificial bee colony // Appl. Intell. – 2013. – 38. – Р. 279-288

Оксанич А. П. Усовершенствование метода создания контактов с барьером Шоттки к пористым полупроводникам / А. П. Оксанич, С. Е. Притчин, М. Г. Когдась, О. Г. Холод, М. А. Мащенко // Радиоэлектроника и информатика. – 2018. – No 3. – С. 24–28.

Оксанич А. П. Разработка математической модели контакта металл – пористый арсенид галлия с барьером Шоттки / А. П. Оксанич, С. Е. Притчин, М. Г. Когдась, О. Г. Холод // Вісник КрНУ імені Михайла Остроградського. – 2018. – No 4. – С. 49–55.

Oksanich A.P. Pd/Porous GaAs in the Manufacture of Schottky Diodes / A.P. Oksanich, S.E. Pritchin, M.G. Kogdas, A.G. Kholod, M.G. Dernova.//Proceedings of the International Conference on Modern Electrical and Energy Systems, MEES 2019. – 2019

A.P. Effect of porous GaAs layer morphology on Pd/porous GaAs Schottky contact // A.P. Oksanich, S.E. Pritchin, M.G. Kogdas, A.G. Kholod, I.V. Shevchenko.// Journal of Nano- and Electronic Physics.– 2019

Родерик Э. Х. Контакты металл-полупроводник: Пер. с англ./ Под ред. Г.В. Степанова. М. / Э. Х. Родерик. – 1982.

A systematic approach to the measurement of ideality factor, series resistance, and barrier height for Schottky diodes/ T. C. Lee, S. Fung, C. D. Beling, and H. L. Beling // J. Appl. Phys. – 1992. – No10. – С. 4739–4742.

Андреев Д. А. Микроэлектроника. / Д. А. Андреев, Н. С. Грушко. – 2002. – No2. – С. 142–146.

Sze S. M. Physics of Semiconductor Devices, 3rd Edition / S. M. Sze, K. K. Ng. // Hoboken: A John Wiley & Sons Inc. – 2007. – С. 832.

Skryshevsky V. A. Basics of MIS-type gas sensors with thin nanoporous silicon / Skryshevsky. – Kyiv, Ukraine: In: Proceedings of IEEE XXXIV International Scientific Conference on Electronics and Nanotechnology (ELNANO). – 78 p.

Вашпанов Ю. А. Адсорбционная чувствительность структур на основе пористого кремния к газам с высоким собственным дипольным моментом/ Ю.А. Вашпанов, В.А. Смынтына // Сборник научных статей «Экология городов и рекреационных зон». — Одесса, 1998. — C. 213–216.

Вашпанов Ю. А. Исследование электрофизических, фотоэлектрических и адсорбционных свойств полупроводниковых структур на основе пористого кремния с целью создания новых микроэлектронных приборов / Вашпанов. // Международная научно-техническая конференция «Аэрокосмический комплекс: конверсия и технологии». − Житомир, Украина. − 1995. − C. 82–83.

Moixner H. Metal oxide sensors/ H. Moixner, U. Lampe. // Sensors and Actuators. − 1996. − V. B63. − P. 198–202.

Smyntyna V. A., Vashpanov Yu. A. The study of optical, photoelectric and gas sensitive properties of porous silicon // International conference of optical Diagnostics of materials and devices for opto-, micro and quantum electronic / V.A. Smyntyna, Yu.A. Vashpanov. − Kiev, Ukraine, 1997. − P. 193.

Осипов О. А. Справочник по дипольным моментам / O.A. Осипов, B.H. Минкин. − М.: Высшая школа, 1965. − 264 с.

Searson P. C. Manufacturing of porous structures from silicon/ Searson. // Nanotechnology. − 1992. − V. 3. − N. 4. − P. 188–191.

Вашпанов Ю. А. Влияние адсорбции полярных газов на электронные свойства пористого кремния / Ю.А. Вашпанов, И.П. Перекрестов. // 2-я Украинская научная конференция по физике полупроводников. − Черновцы, 2004. − С. 345–346.

Smyntyna V. A., Vashpanov Yu. A. The study of optical, photoelectric and gas sensitive properties of porous silicon // SPIE proceedings/ V.A. Smyntyna, Yu. A. Vashpanov. − 1997. − V. 3359. − P. 542–546.

Вашпанов Ю. А. Адсорбционная чувствительность пористого кремния к газам и биомолекулам с высоким дипольным моментом/ Вашпа- нов. // Труды конференции «Современные методы анализа в контроле качества продукции промышленного производства, экологии и токсикологии». — Одесса, 2000. − С. 30–34.

Вашпанов Ю. О. Адсорбційна чутливість мікропоруватого кремнію та можливість керування її величиною в процесі вимірювань /Ю.А. Вашпанов, В.А. Сминтина, // Вісник Одеського університету, сер. «Фіз.-мат. науки». − 1999. − Т. 4. − Вип. 4. − С. 5–8.

Porous silicon. Editor /Z.C. Feng, R. Tsu, //World Scientific. − New- York. − 1994. − 488 p.

K. Phys. B: Condens. Matter. / K. S, T. A. – 2006. – С. 381, 199.

Electroless deposition as a means of obtaining ohmic contacts: Au/Pd onto GaAs, / [D. Lamouche, J. R. Martin, P. Clechet, G. Haroutounian, and J. P. Sandino]. // Solid State Electron. – 1986. – No29. – С. 625–632.

Оксанич А. П. Применение пористых слоев GaAs при изготовлении диодов Шоттки / А. П. Оксанич, М. Г. Когдась, О. Г. Холод, М. А. Мащенко // Вісник КрНУ імені Михайла Остроградського. – 2018. – No 1. – С. 22–28.

Contact reactions in Pd/GaAs junctions / [J.O. Olowolafe, P.S. Ho, H.J. Hovel, J.E. Lewis, and J.M. Woodall]. // Appl. Phys. – 1979. – No50. – С. 955–962. 147. Оксанич А. П. Разработка высокочувствительных датчиков водорода на базе диодов Шоттки, изготовленных из наноразмерных слоев n-GaAs /А. П. Оксанич, М. Г. Когдась, О. Г. Холод, М. А. Мащенк//Вісник КрНУ імені Михайла Остроградського. –Випуск 2/2018 (109). – Частина 1 9-14

Привалов A.A. Особенности проектирования РЭС с применением ПЛИС / A.A. Привалов, М.В. Руфитский // Перспективные технологии в средствах передачи информации

Рабинер Л. Теория и применение цифровой обработки сигналов / Л. Рабинер, Б. Гоулд // Перевод с англ. Под ред. Ю.Н. Александрова. − М: Мир, 1978.

Данчул А.Н. Системотехнические задачи создания САПР / А.Н. Данчул, Л.Я. Полуян // Практ. пособие Под ред. A.B. Петрова. − М.: Высш. шк.,1990. – 144 с.

Калач A.B. Мультисенсорные системы. Применение методологии искусственных нейронных сетей для обработки сигналов сенсоров / А.В. Калач // Нейрокомпьютеры: разработка и применение. -2003.- No10 - 11.-С.25-36.

Ганшин В.М. От обонятельных моделей к "электронному носу": (Новые возможности параллельной аналитики) / В.М. Ганшин, A.B. Чебышев // Специальная техника. - 1999. - No 1-2. C. 113

Корячко В.М. Теоретические основы САПР / В.М. Корячко, И.П. Норенков // Учебник для вузов. - М.: Энергоатоимздат, 1987. - 400 с.